电导率σi和电子导电的电导率σe之比σi/σe≥0.01。
具有至少一层其至少部分所述导电性由离子导电性聚合物的组合物赋予的导电层的导电辊包括整个导电辊都由离子导电性聚合物赋予导电性的导电性橡胶组合物构成的导电辊以及由不同组成的多层构成的导电辊，而由不同组成的多层构成的导电辊中的至少一层由至少部分导电性由离子导电性聚合物的组合物赋予的导电性橡胶组合物构成，其他层则由离子导电性聚合物赋予导电性的导电层以外的橡胶等构成。而利用热膨胀系数小，导热强、高温强度好的钼或钼基合金，模具寿命大幅度延长。
导电辊包括导电辊的外层由至少部分导电性由离子导电性聚合物的组合物赋予的导电性橡胶组合物构成、内层由离子导电性聚合物的组合物赋予导电性的导电层以外的橡胶等构成的双层导电辊，以及与上述相反的外层由离子导电性聚合物赋予导电性的导电层以外的橡胶等构成、内层由至少部分导电性由离子导电性聚合物的组合物赋予的导电性橡胶组合物构成的双层导电辊。如今12英寸（300衄口）的硅晶片已制造出来．而互连线的宽度却在减小。
在所有应用产业中，半导体产业对靶材溅射薄膜的品质要求是苛刻的。如今12英寸（300衄口）的硅晶片已制造出来．而互连线的宽度却在减小。硅片制造商对靶材的要求是大尺寸、高纯度、低偏析和细晶粒，这就要求所制造的靶材具有更好的微观结构。靶材的结晶粒子直径和均匀性已被认为是影响薄膜沉积率的关键因素。20世纪90年代以来，溅射靶材及溅射技术的同步发展，极大地满足了各种新型电子元器件发展的需求。另外，薄膜的纯度与靶材的纯度关系极大，过99.995%（4N5）纯度的铜靶，或许能够满足半导体厂商0.35pm工艺的需求，但是却无法满足如今0.25um的工艺要求。
各种类型的溅射薄膜材料在半导体集成电路(VLSI)、光碟、平面显示器以及工件的表面涂层等方面都得到了广泛的应用。20世纪90年代以来，溅射靶材及溅射技术的同步发展，极大地满足了各种新型电子元器件发展的需求。例如，在半导体集成电路制造过程中，以电阻率较低的铜导体薄膜代替铝膜布线。采用聚氨酯橡胶、表氯橡胶等离子导电性橡胶(聚合物)或含有季铵盐等离子导电材料的离子导电性聚合物的组合物的方法。
在被溅射的靶极（阴极）与阳极之间加一个正交磁场和电场，在高真空室中充入所需要的惰性气体（通常为Ar气），磁铁在靶材料表面形成250～350高斯的磁场，同高压电场组成正交电磁场。
