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安徽高速烧录器厂家即时留言「苏州特斯特」韩庚退出sj
2023-11-24 06:39  浏览:35
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EMMI侦测的到亮点、热点(Hot Spot)情况;原来就会有的亮点、热点(Hot Spot)饱和区操作中的BJT或MOS(Saturated Or Active Bipolar Transistors /Saturated MOS)动态式CMOS (Dynamic CMOS)二极管顺向与逆向偏压崩溃 (Forward Biased Diodes /Reverse Biased Diodes Breakdown)侦测不到亮点情况不会出现亮点的故障奥姆或金属的短路(Ohmic Short / metal Short)亮点被遮蔽之情况埋入式接面的漏电区(Buried Juncti)金属线底下的漏电区(Leakage Sites Under metal)

芯片失效分析步骤:

1、非破坏性分析:主要是超声波扫描显微镜(C-SAM)--看有没delamination,xray--看内部结构,等等;

2、电测:主要工具,万用表,示波器, tek370a

3、破坏性分析:机械decap,化学 decap芯片开封机

4、半导体器件芯片失效分析 芯片內部分析,孔洞气泡失效分析。

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