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台州大电流mos生产厂家免费咨询「多图」冬至最忌讳的三件事
2023-12-06 01:52  浏览:33
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7分钟前 台州大电流mos生产厂家免费咨询「多图」[炫吉电子68cce23]内容:

公司成立于2013年7月,专注从事单片机的应用开发及生产,并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售,在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛,为您量身定制适合的芯片方案。

mos管,是在集成电路里的带有绝缘性的场效应管。MOS 管作为半导体领域基础的器件之一,不管是在板级电路的应用上,还是IC的设计里,都十分广泛。MOS管的drain和source是可以相互调换过来的的,都是在P型backgate里形成的一个N型区。在普遍的情况下,这两个区都是相同的,就算这两段相互调换过来也是不会去影响到器件的性能。所以这器件被认为是对称的。

MOS管失效的两个主要原因:

电压失效:即漏源间的BVdss电压超过MOS管额定电压,达到一定容量,造成MOS管失效。

栅电压故障:栅极遭受异常电压尖峰,造成栅氧层故障。

雪崩破坏到底是什么?简单地说,MOS管是由母线电压、变压器反射电压、漏感尖峰电压等与MOS管之间叠加而形成的故障模式。简而言之,即MOS管漏源极的电压超过了它规定的电压值,并且达到了某一能量极限i时所产生的常见故障。

造成栅电压异常高的主要原因有三个:生产、运输和装配过程中的静电;设备和电路寄生参数在电力系统运行过程中产生高压谐振;在高压冲击时,高压通过Ggd传输到电网(雷击测试时这种故障更为常见)。

MOSFET管有两个电极,一个是金属,另一个是外在硅,他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。MOSFET管一般被生产制造为四种类型,分别是增强型和耗尽型、P沟道和N沟道这四种,但其实在实际的运用中一般只用增强型的N沟道和增强型的P沟道MOS管,因此一般情况下只要提及NMOS或是PMOS便是指的是这两种。

针对这两种增强型的MOS管,其中较为普遍使用的是NMOS —— 原因是增强型的N沟道MOS管的导通电阻更小,并且生产简便,因此在开关电源和电机驱动的运用中,我们一般使用增强型的N沟道MOS管。

MOS管的三个管脚中有寄生电容的存在,虽然说这并不是大家所需要的,但其中生产制造加工工艺需要寄生电容的存在。有了寄生电容,这让其设计方案或挑选驱动电源电路的情况下会更麻烦一些,其中还没有解决的办法能避免。

在MOS管的漏极和源极中有一个寄生二极管叫做体二极管,就驱动感性负载来说,二极管对其十分重要。顺带说一句,体二极管只在单独的MOS管内存在,在集成电路芯片內部一般都是没有的。

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